C32 IGBT緩沖吸收電容器

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C32  IGBT緩沖吸收電容器

型號	規格	價格(元)	尺寸（mm)	引出
C32	1.0vF/1200V	9	Φ27.5*L44	d=1.2

價格僅供參考，以報價單為準。 主要應用/Application廣泛應用于UPS、逆變器、感應加熱、電焊機等設備的IGBT模塊吸收保護。Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection. 產品特點/Characteristics 電介質：聚丙烯薄膜結構：雙面金屬化與金屬化膜內串結構封裝：阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級）環氧封裝引出：鍍錫銅線能承受高脈沖電流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性 Dielectric：Polypropylene filmConstruction：Extended double side metalized carrier film with internal series connection and metalized filmCoating：Polyester tape wrapping with resin sealing.Flame retardant execution（UL94V-0）Terminals：Tinned copper lugsHigh pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing 技術性能/Specifications

引用標準/Reference standards	GB/T 17702 IEC 61071
工作溫度范圍/Operating temperature range	-40℃～85℃
容量范圍/Capacitance	0.022μF～5.6μF
額定電壓/Rated Voltage	700Vdc～3000Vdc
容量偏差/Tolerance	±5% ±10%
極間耐電壓/Test voltage between terminals	1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case	3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
損耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤6×10-4   at 25℃±5℃，1kHz
絕緣電阻/Insulation resistance	C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
預期壽命/Life expectancy	200000h at Ur and 70℃

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