晶體生長設備特點及優勢簡述：
1. 單晶爐可自動控制N型<111>、P型<100>單晶硅棒的生長；
2.單晶爐速度控制精度≤FS3%；
3.單晶爐熔料量CZ-80A型70KG、CZ-90AI型100KG；
4.單晶爐增加了功率因數補償實現了節能；
5.單晶爐采用自主設計研發的18″、20″熱系統，晶體生長條件狀態好，產品成品率高，損耗小，生產效率高。
6.單晶爐下傳動部分采用新型的盲道+機械密封+磁流體密封的結構，提高了真空度。
7.單晶爐在大功率直拉單晶爐上首次采用了PLC自控系統和諧波抑制系統，提高了電氣系統的高穩定性，實現了無電網污染。
8.單晶爐獨特的冷卻結構設計可達到最佳的溫度梯度，從而抑制了熔體的熱對流。
9.單晶爐自主研發的18″、20″復合式熱系統 (帶有熱屏和矮加熱器組成的復合式熱系統)，更進一步抑制熔體的熱對流，并加速了結晶潛熱的排放，有效地降低了硅中的氧含量，并提高了氧在硅晶體中分布的均勻性，目前正在申報國家專利。
10.單晶爐合理的導氣排氣結構，從而減少爐內氣體的渦流現象；采用封閉式熱場涂層技術,更進一步降低了晶體的碳含量。