手機(jī)版|
二維碼|
點(diǎn)擊下圖片即可查看大圖
| 北京京儀集團(tuán)涿鹿光伏材料有限公司 156*156規(guī)格多晶硅方片標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 生長方法 | Growth Method | DSS |
| 導(dǎo)電型號(hào) | Conductive Type | P |
| 摻雜劑 | Dopant | B |
| 電阻率 | Resistivity（ρ） | 1.0 -3.0Ω·cm |
| 少子壽命 | Minority Carrier Lifetime | ≥1.2μs（裸片） |
| 氧含量 | Oxygen Content(oi) | ≤1.0*1018 at/cm3 |
| 碳含量 | Carbon Content(c) | ≤1.0*1017 at/cm3 |
| 硅片尺寸 | Size | 156*156+0.3mm |
| 倒角線角度 | Bebel Edge Angle | 45°± 10° |
| 倒角線寬度 | Bebel Edge Width | 0.5-2mm |
| 硅片厚度 | Thickness | 200±20 μm |
| 總厚度變化 | TTV | ≤30μm |
| 線痕 | Saw Mark | ≤15μm |
| 彎曲度/翹曲度 | Bow/Warp | ≤30μm |
| 崩邊 | Chip | 寬≤0.3㎜，深度≤0.5㎜,且每片小于1個(gè) |
| 微裂紋 | Crack | 不允許 |
| 外觀 | Appearance | 目視檢查無污點(diǎn),缺口,孔洞和裂紋 |
| 晶粒尺寸 | Crystal Grain | ≤10pcs/ cm2 |
| 平均轉(zhuǎn)換效率 | Average conversion efficiency | 17.6% |
