功率器件igbt/mos測(cè)試設(shè)備

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功率器件igbt/mos測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì)

    高電壓、大電流

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測(cè)量

    nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測(cè)量

    模塊化配置

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

    測(cè)試效率高

    內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

功率器件igbt/mos測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！