功率器件igbt/mos測試設備

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功率器件igbt/mos測試設備優勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

    高精度測量

    nA級漏電流, μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

功率器件igbt/mos測試設備認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！